Modélisation Large Bande de la Dispersion Fréquentielle de la Conductance de sortie et de la Transconductance dans les HEMTs AlInN/GaN
Résumé
Un modèle large bande de la dispersion fréquentielle de la conductance de sortie et de la transconductance dans les HEMTs AlInN/GaN est présenté dans cet article. Ce modèle prend en compte tous les types de dispersion jusqu'aux fréquences micro-ondes ainsi que le caractère distribué des constantes de temps des pièges à l'origine de ces dispersions. Il a été validé en comparant les résultats de modélisation aux paramètres expérimentaux pour plusieurs conditions de polarisation.
Domaines
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