Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4 - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue ECS Journal of Solid State Science and Technology Année : 2013

Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4

Liping Zhang
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IMEC
Rami Ljazouli
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Philippe Lefaucheux
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Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
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Soumis le : jeudi 6 juin 2013-17:15:28

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-11:26:03

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hal-00831339 , version 1 (06-06-2013)

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Citer

Liping Zhang, Rami Ljazouli, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, et al.. Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2013, 2 (6), pp.N131. ⟨10.1149/2.001306jss⟩. ⟨hal-00831339⟩

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