Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00819700
Soumis le : jeudi 2 mai 2013-09:36:40
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00819700 , version 1
Citer
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, B. Grimbert, et al.. Effect of passivation on pinch-off current leakage characteristics of AlGaN/GaN/Si HEMTs. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium D - Advanced inorganic materials and structures for photovoltaics, 2013, Strasbourg, France. ⟨hal-00819700⟩
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