Effect of pinch-off current leakage characteristics of AlGaN/GaN/Si HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Effect of pinch-off current leakage characteristics of AlGaN/GaN/Si HEMTs

H. Mosbahi
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
H. Mejri
  • Fonction : Auteur
B. Grimbert
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00819698 , version 1 (02-05-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00819698 , version 1

Citer

H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, B. Grimbert, et al.. Effect of pinch-off current leakage characteristics of AlGaN/GaN/Si HEMTs. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium L - Group III nitrides, 2013, Strasbourg, France. ⟨hal-00819698⟩
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