Field Effect Transistors for Terahertz Detection - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Field Effect Transistors for Terahertz Detection

Wojciech Knap
Groupe d'étude des semiconducteurs
Salman Nadar
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 902020
Groupe d'étude des semiconducteurs
Hadley Videlier
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 902021
Groupe d'étude des semiconducteurs
Stephane Boubanga Tombet
  • Fonction : Auteur
Groupe d'étude des semiconducteurs
Dominique Coquillat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 995041
Groupe d'étude des semiconducteurs
Nina Diakonova
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 883858
Groupe d'étude des semiconducteurs
Frederic Teppe
Groupe d'étude des semiconducteurs
CV
Abdelouahad El Fatimy
  • Fonction : Auteur
School of Physics and Astronomy [Nottingham]
Et Al.
  • Fonction : Auteur

Résumé

Field Effect Transistors for Terahertz Detection

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

L2c Aigle  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00812052

Soumis le : jeudi 11 avril 2013-15:55:17

Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-14:01:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00812052 , version 1 (11-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00812052 , version 1

Citer

Wojciech Knap, Salman Nadar, Hadley Videlier, Stephane Boubanga Tombet, Dominique Coquillat, et al.. Field Effect Transistors for Terahertz Detection. The Int. Workshop on Terahertz Technology 2009, Nov 2009, Japan. ⟨hal-00812052⟩

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