Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00811810
Soumis le : jeudi 11 avril 2013-10:39:44
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00811810 , version 1
Citer
Y.M. Niquet, J. Li, D. Rideau, B. Videau, Christophe Krzeminski, et al.. [Invited] Strain effects on carrier mobility in Si and Ge nanowires. 5ème Assemblée Générale du GdR Nanofils Semiconducteurs, 2013, Saint-Martin-de-Londres, France. ⟨hal-00811810⟩
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