[Invited] Strain effects on carrier mobility in Si and Ge nanowires - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

[Invited] Strain effects on carrier mobility in Si and Ge nanowires

Y.M. Niquet
  • Fonction : Auteur
J. Li
  • Fonction : Auteur
D. Rideau
  • Fonction : Auteur
B. Videau
  • Fonction : Auteur
Christophe Krzeminski
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00811810 , version 1 (11-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00811810 , version 1

Citer

Y.M. Niquet, J. Li, D. Rideau, B. Videau, Christophe Krzeminski, et al.. [Invited] Strain effects on carrier mobility in Si and Ge nanowires. 5ème Assemblée Générale du GdR Nanofils Semiconducteurs, 2013, Saint-Martin-de-Londres, France. ⟨hal-00811810⟩
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