Dielectric polarization 1/f noise : a signature of defect-free oxides at nanotransistors interface - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Dielectric polarization 1/f noise : a signature of defect-free oxides at nanotransistors interface

N. Clement
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
K. Nishiguchi
  • Fonction : Auteur
D. Vuillaume
  • Fonction : Auteur
A. Fujiwara
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00811778

Soumis le : jeudi 11 avril 2013-10:10:40

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00811778 , version 1 (11-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00811778 , version 1

Citer

N. Clement, K. Nishiguchi, D. Vuillaume, A. Fujiwara. Dielectric polarization 1/f noise : a signature of defect-free oxides at nanotransistors interface. American Physical Society March Meeting, APS March Meeting 2013, 2013, Baltimore, MD, United States. ⟨hal-00811778⟩

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