Communication Dans Un Congrès
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00811764
Soumis le : jeudi 11 avril 2013-10:00:41
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00811764 , version 1
Citer
F Medjdoub. Progress in the development of (In)AlN/GaN heterostructure for next generation mmW applications. 61st IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2013, Workshop WMA : Advancements in InAlN/Gan Device and Microwave/MMW Circuit Technology, 2013, Seattle, WA, United States. ⟨hal-00811764⟩
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