Correlation between the kink effect, collapse effect and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Correlation between the kink effect, collapse effect and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate

M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
O. Fathallah
  • Fonction : Auteur
G. Guillot
H. Maaref
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00811736 , version 1 (11-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00811736 , version 1

Citer

M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, G. Guillot, H. Maaref. Correlation between the kink effect, collapse effect and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate. International Conference on Extended Defects in Semiconductors, EDS 2008, 2008, Poitiers, France. ⟨hal-00811736⟩
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