AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric

J.C. Gerbedoen
A. Soltani
M. Mattalah
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
P. Thevenin
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00811732

Soumis le : jeudi 11 avril 2013-09:25:00

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00811732 , version 1 (11-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00811732 , version 1

Citer

J.C. Gerbedoen, A. Soltani, M. Mattalah, Jean-Claude de Jaeger, P. Thevenin. AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric. 19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide, Diamond 2008, 2008, Sitges, Spain. ⟨hal-00811732⟩

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