S-parameters measurements and small signal modeling of sub-65nm silicon MOSFETs up to 220 GHz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

S-parameters measurements and small signal modeling of sub-65nm silicon MOSFETs up to 220 GHz

N. Waldhoff
  • Fonction : Auteur
Francois Danneville
D. Gloria
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00811074 , version 1 (10-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00811074 , version 1

Citer

N. Waldhoff, Gilles Dambrine, Francois Danneville, D. Gloria. S-parameters measurements and small signal modeling of sub-65nm silicon MOSFETs up to 220 GHz. IEEE IMS Workshop on Advances in Circuit Design for Wideband Millimeter Wave Applications, 2008, Atlanta, GA, United States. ⟨hal-00811074⟩
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