Record combination of power-gain cut-off frequency and three-terminal breakdown voltage for GaN-on-silicon devices - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters Année : 2013

Record combination of power-gain cut-off frequency and three-terminal breakdown voltage for GaN-on-silicon devices

F Medjdoub
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
B. Grimbert
D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
N. Rolland

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https://hal.science/hal-00809852

Soumis le : mercredi 10 avril 2013-07:26:36

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00809852 , version 1 (10-04-2013)

Identifiants

Citer

F Medjdoub, B. Grimbert, D. Ducatteau, N. Rolland. Record combination of power-gain cut-off frequency and three-terminal breakdown voltage for GaN-on-silicon devices. Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, 2013, 6, pp.044001-1-3. ⟨10.7567/APEX.6.044001⟩. ⟨hal-00809852⟩

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