Deep traps in passivated AlGaN/GaN high electron mibility transistors on silicon substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Deep traps in passivated AlGaN/GaN high electron mibility transistors on silicon substrate

H. Masbahi
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00808253 , version 1 (05-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00808253 , version 1

Citer

H. Masbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref. Deep traps in passivated AlGaN/GaN high electron mibility transistors on silicon substrate. 7th Maghreb-Europe Meeting on Materials and their Applications for Devices and Sensors, MADICA 2010, 2010, Tabarka, Tunisia. ⟨hal-00808253⟩
26 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More