Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00808253
Soumis le : vendredi 5 avril 2013-10:45:38
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00808253 , version 1
Citer
H. Masbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref. Deep traps in passivated AlGaN/GaN high electron mibility transistors on silicon substrate. 7th Maghreb-Europe Meeting on Materials and their Applications for Devices and Sensors, MADICA 2010, 2010, Tabarka, Tunisia. ⟨hal-00808253⟩
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