Impact of gate length on pulsed IV characteristics of passivated InAlN/GaN HFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Impact of gate length on pulsed IV characteristics of passivated InAlN/GaN HFETs

M. Heuken
  • Fonction : Auteur
A. Vescan
  • Fonction : Auteur
F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
H. Behmenburg
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Jean-Claude de Jaeger
H. Kalisch
  • Fonction : Auteur
N. Ketteniss
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807610 , version 1 (04-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807610 , version 1

Citer

M. Heuken, A. Vescan, F. Lecourt, H. Behmenburg, N. Defrance, et al.. Impact of gate length on pulsed IV characteristics of passivated InAlN/GaN HFETs. 9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, 2011, Glasgow, United Kingdom. ⟨hal-00807610⟩
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