Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00807610
Soumis le : jeudi 4 avril 2013-09:19:13
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00807610 , version 1
Citer
M. Heuken, A. Vescan, F. Lecourt, H. Behmenburg, N. Defrance, et al.. Impact of gate length on pulsed IV characteristics of passivated InAlN/GaN HFETs. 9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, 2011, Glasgow, United Kingdom. ⟨hal-00807610⟩
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