Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00807607
Soumis le : jeudi 4 avril 2013-09:20:25
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00807607 , version 1
Citer
Mohamed Boucherit, Ali Soltani, Michel Rousseau, J.L. Farvaque, Jean-Claude de Jaeger. Optimization of AlN/GaN double-barrier resonant-tunnelling diode based on the non-equilibrium Green's function formalism. 9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, Jun 2011, Glasgow, United Kingdom. ⟨hal-00807607⟩
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