Optimization of AlN/GaN double-barrier resonant-tunnelling diode based on the non-equilibrium Green's function formalism - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807607 , version 1 (04-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807607 , version 1

Citer

Mohamed Boucherit, Ali Soltani, Michel Rousseau, J.L. Farvaque, Jean-Claude de Jaeger. Optimization of AlN/GaN double-barrier resonant-tunnelling diode based on the non-equilibrium Green's function formalism. 9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, Jun 2011, Glasgow, United Kingdom. ⟨hal-00807607⟩
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