AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a metal field-plate structure - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a metal field-plate structure

M. Kaddeche
  • Fonction : Auteur
A. Telia
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807602 , version 1 (04-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807602 , version 1

Citer

M. Kaddeche, A. Telia, A. Soltani. AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a metal field-plate structure. 9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, 2011, Glasgow, United Kingdom. ⟨hal-00807602⟩
41 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More