[Invited] AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs technology for high frequency wireless communication and applications needing conformability - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

[Invited] AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs technology for high frequency wireless communication and applications needing conformability

Virginie Hoel
Marie Lesecq
N. Defrance
F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
Y. Douvry
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
H. Maher
S. Bouzid
  • Fonction : Auteur
M. Heuken
  • Fonction : Auteur
C. Giesen
  • Fonction : Auteur
N. Ketteniss
  • Fonction : Auteur
H. Behmenburg
  • Fonction : Auteur
M. Eickelkamp
  • Fonction : Auteur
A. Vescan
  • Fonction : Auteur
Y. Cordier
A. Ebongue
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807597 , version 1 (04-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807597 , version 1

Citer

Jean-Claude de Jaeger, Virginie Hoel, Marie Lesecq, N. Defrance, F. Lecourt, et al.. [Invited] AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs technology for high frequency wireless communication and applications needing conformability. European Microwave Week, EuMIC, Workshop W09 - Wideband GaN devices and applications, 2011, Manchester, United Kingdom. ⟨hal-00807597⟩
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