Étude des propriétés électroniques de nanofils semiconducteurs d'InAs par microscopie à effet tunnel basse température et quatre pointes - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Étude des propriétés électroniques de nanofils semiconducteurs d'InAs par microscopie à effet tunnel basse température et quatre pointes

Corentin Durand
CV
Maxime Berthe
T.H. Nguyen
  • Fonction : Auteur
P. Caroff
  • Fonction : Auteur
J.P. Nys
  • Fonction : Auteur
B. Grandidier
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV

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https://hal.science/hal-00807239

Soumis le : mercredi 3 avril 2013-11:05:59

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807239 , version 1 (03-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807239 , version 1

Citer

Corentin Durand, Maxime Berthe, T.H. Nguyen, P. Caroff, J.P. Nys, et al.. Étude des propriétés électroniques de nanofils semiconducteurs d'InAs par microscopie à effet tunnel basse température et quatre pointes. 14ème Forum des Microscopies à Sonde Locale, 2011, Ecully, France. ⟨hal-00807239⟩

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