Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00807156
Soumis le : mercredi 3 avril 2013-09:14:27
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00807156 , version 1
Citer
Y. Wang, M.P. Chauvat, P. Ruterana, L. Desplanque, X. Wallart. TEM analysis of the dislocations mechanisms in III-V heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2011, Symposium RR : Fundamental science of defects and microstructure in advanced materials for energy, 2011, San Francisco, CA, United States. ⟨hal-00807156⟩
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