TEM analysis of the dislocations mechanisms in III-V heterostructures grown by molecular beam epitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

TEM analysis of the dislocations mechanisms in III-V heterostructures grown by molecular beam epitaxy

Y. Wang
  • Fonction : Auteur
M.P. Chauvat
P. Ruterana
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807156 , version 1 (03-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807156 , version 1

Citer

Y. Wang, M.P. Chauvat, P. Ruterana, L. Desplanque, X. Wallart. TEM analysis of the dislocations mechanisms in III-V heterostructures grown by molecular beam epitaxy. Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2011, Symposium RR : Fundamental science of defects and microstructure in advanced materials for energy, 2011, San Francisco, CA, United States. ⟨hal-00807156⟩
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