L'exploitation des semi-conducteurs de basse dimensionnalité permet d'améliorer les propriétés des composants optoélectroniques de par un meilleur confinement quantique des électrons et des trous. L'objectif de cette contribution est d'étudier théoriquement les propriétés dynamiques des lasers nano-structurés InAs/InP(311B). Une nouvelle expression de la fonction de transfert en intensité du laser est proposée pour les systèmes à îlots quantiques. Les modèles classiques pour les puits quantiques sont étudiés par comparaison ainsi que des données expérimentales sur des lasers à îlots.