Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00801202
Soumis le : vendredi 15 mars 2013-11:54:02
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Sakowicz, M.B. Lifshits, O.A. Klimenko, D. Coquillat, N. Dyakonova, et al.. AlGaN/GaN based field effect transistors for terahertz detection and imaging. SPIE 2012 Photonics West, Gallium Nitride Materials and Devices VII, 2012, San Francisco, CA, United States. pp.82621V-1-5, ⟨10.1117/12.908236⟩. ⟨hal-00801202⟩
Collections
30
Consultations
0
Téléchargements