Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00801156
Soumis le : vendredi 15 mars 2013-11:19:22
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00801156 , version 1
Citer
S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, Christophe Gaquière, H. Maaref. Anomaly and defects characterization by IDS(VDS) and drain-current DLTS of Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC HEMT's. 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2. ⟨hal-00801156⟩
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