Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00801139
Soumis le : vendredi 15 mars 2013-10:48:33
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00801139 , version 1
Citer
Y.M. Niquet, C. Delerue. Influence of strains on the electron and hole mobility in silicon nanowires. 15th International Workshop on Computational Electronics, IWCE-15, 2012, Madison, WI, United States. pp.203-204. ⟨hal-00801139⟩
Collections
16
Consultations
0
Téléchargements