High frequency epitaxial graphene fields effect transistors (GFET) on SiC - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

High frequency epitaxial graphene fields effect transistors (GFET) on SiC

D. Mele
E. Pichonat
S. Fregonese
A. Ouerghi
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00801050 , version 1 (15-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00801050 , version 1

Citer

D. Mele, E. Pichonat, S. Fregonese, A. Ouerghi, H. Happy. High frequency epitaxial graphene fields effect transistors (GFET) on SiC. 13th Trends in Nanotechnology International Conference, TNT2012, 2012, Madrid, Spain. pp.1-2. ⟨hal-00801050⟩
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