Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00801050
Soumis le : vendredi 15 mars 2013-08:30:17
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00801050 , version 1
Citer
D. Mele, E. Pichonat, S. Fregonese, A. Ouerghi, H. Happy. High frequency epitaxial graphene fields effect transistors (GFET) on SiC. 13th Trends in Nanotechnology International Conference, TNT2012, 2012, Madrid, Spain. pp.1-2. ⟨hal-00801050⟩
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