In0.53Ga0.47As MOSFET with gate-first and gate-last process - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

In0.53Ga0.47As MOSFET with gate-first and gate-last process

J.J. Mo
  • Fonction : Auteur
Nicolas Wichmann
S. Bollaert
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00801048

Soumis le : vendredi 15 mars 2013-08:35:57

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00801048 , version 1 (15-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00801048 , version 1

Citer

J.J. Mo, Nicolas Wichmann, S. Bollaert. In0.53Ga0.47As MOSFET with gate-first and gate-last process. 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2. ⟨hal-00801048⟩

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