Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00801047
Soumis le : vendredi 15 mars 2013-08:27:33
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00801047 , version 1
Citer
J. Shi, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, S. Bollaert. Microwave performances of 100nm-gate In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate. 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2. ⟨hal-00801047⟩
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