Performances of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Performances of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate

F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
N. Ketteniss
  • Fonction : Auteur
H. Behmenburg
  • Fonction : Auteur
N. Defrance
Virginie Hoel
M. Eickelkamp
  • Fonction : Auteur
A. Vescan
  • Fonction : Auteur
C. Giesen
  • Fonction : Auteur
M. Heuken
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00800127 , version 1 (13-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00800127 , version 1

Citer

F. Lecourt, N. Ketteniss, H. Behmenburg, N. Defrance, Virginie Hoel, et al.. Performances of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate. 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00800127⟩
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