75-nm-T-shaped-gate InAlN/AlN/GaN HEMT on sapphire with 100 GHz cutoff frequency - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

75-nm-T-shaped-gate InAlN/AlN/GaN HEMT on sapphire with 100 GHz cutoff frequency

F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
N. Defrance
Virginie Hoel
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Jean-Claude de Jaeger
N. Ketteniss
  • Fonction : Auteur
H. Behmenburg
  • Fonction : Auteur
M. Eickelkamp
  • Fonction : Auteur
A. Vescan
  • Fonction : Auteur
C. Giesen
  • Fonction : Auteur
M. Heuken
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00800110

Soumis le : mercredi 13 mars 2013-11:22:49

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00800110 , version 1 (13-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00800110 , version 1

Citer

F. Lecourt, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, N. Ketteniss, et al.. 75-nm-T-shaped-gate InAlN/AlN/GaN HEMT on sapphire with 100 GHz cutoff frequency. 6th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.136-139. ⟨hal-00800110⟩

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