Optical modulation based on gallium nitride semiconductor operating at 1.55µm - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Optical modulation based on gallium nitride semiconductor operating at 1.55µm

A. Stolz
S. Ko
  • Fonction : Auteur
L. Considine
  • Fonction : Auteur
El Hadj Dogheche
Y.H. Cho
  • Fonction : Auteur
D. Pavlidis
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00800067 , version 1 (13-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00800067 , version 1

Citer

A. Stolz, S. Ko, L. Considine, El Hadj Dogheche, Y.H. Cho, et al.. Optical modulation based on gallium nitride semiconductor operating at 1.55µm. 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00800067⟩
54 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More