Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00799994
Soumis le : mercredi 13 mars 2013-08:47:30
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00799994 , version 1
Citer
S. El Kazzi, L. Desplanque, X. Wallart, Y. Wang, P. Ruterana. Strain relaxation of GaSb islands on GaP and GaAs substrates for highmobility AlSb/InAs heterostructures. 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00799994⟩
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