Strain relaxation of GaSb islands on GaP and GaAs substrates for highmobility AlSb/InAs heterostructures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Strain relaxation of GaSb islands on GaP and GaAs substrates for highmobility AlSb/InAs heterostructures

S. El Kazzi
  • Fonction : Auteur
X. Wallart
Y. Wang
  • Fonction : Auteur
P. Ruterana
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00799994 , version 1 (13-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00799994 , version 1

Citer

S. El Kazzi, L. Desplanque, X. Wallart, Y. Wang, P. Ruterana. Strain relaxation of GaSb islands on GaP and GaAs substrates for highmobility AlSb/InAs heterostructures. 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00799994⟩
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