100nm-gate-length In0.47Ga0.53As multi-gate MOSFET : fabrication and characterisation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

100nm-gate-length In0.47Ga0.53As multi-gate MOSFET : fabrication and characterisation

J.J. Mo
  • Fonction : Auteur
Nicolas Wichmann
Yannick Roelens
M. Zaknoune
L. Desplanque
X. Wallart
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00799971 , version 1 (13-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00799971 , version 1

Citer

J.J. Mo, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, M. Zaknoune, L. Desplanque, et al.. 100nm-gate-length In0.47Ga0.53As multi-gate MOSFET : fabrication and characterisation. 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2011, 2011, Berlin, Germany. pp.1-4. ⟨hal-00799971⟩
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