Efficient n-type doping of Si nanocrystals embedded in SiO<sub>2</sub> by ion beam synthesis - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2013

Efficient n-type doping of Si nanocrystals embedded in SiO2 by ion beam synthesis

R. Khelifi
  • Fonction : Auteur
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
D. Mathiot
  • Fonction : Auteur
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
Rajiv Gupta
  • Fonction : Auteur
D. Muller
  • Fonction : Auteur
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
M. Roussel
  • Fonction : Auteur
S. Duguay
CV

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https://hal.science/hal-00799830

Soumis le : mardi 12 mars 2013-16:37:32

Dernière modification le : jeudi 24 octobre 2024-03:12:12

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Dates et versions

hal-00799830 , version 1 (12-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00799830 , version 1

Citer

R. Khelifi, D. Mathiot, Rajiv Gupta, D. Muller, M. Roussel, et al.. Efficient n-type doping of Si nanocrystals embedded in SiO2 by ion beam synthesis. Applied Physics Letters, 2013, 102, pp.013116_1-4. ⟨hal-00799830⟩

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