Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00799793
Soumis le : mardi 12 mars 2013-16:25:12
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00799793 , version 1
Citer
J. Shi, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, S. Bollaert. Microwave performances of 100nm-gate In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrates. 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00799793⟩
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