50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with Ft of 150GHz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with Ft of 150GHz

J.J. Mo
  • Fonction : Auteur
Nicolas Wichmann
Yannick Roelens
M. Zaknoune
L. Desplanque
X. Wallart
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00799699 , version 1 (12-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00799699 , version 1

Citer

J.J. Mo, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, M. Zaknoune, L. Desplanque, et al.. 50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with Ft of 150GHz. 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00799699⟩
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