Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00799699
Soumis le : mardi 12 mars 2013-15:35:14
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00799699 , version 1
Citer
J.J. Mo, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, M. Zaknoune, L. Desplanque, et al.. 50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with Ft of 150GHz. 20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2. ⟨hal-00799699⟩
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