Chapitre D'ouvrage
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00799648
Soumis le : mardi 12 mars 2013-14:41:55
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00799648 , version 1
Citer
F Medjdoub. GaN-based on large diameter Si substrate for next generation of high power/high temperature devices. Iniewski K. Nano-semiconductors : devices and technology, CRC Press, chapter 16, 461-484, 2011, ISBN 978-1-4398-4835-7. ⟨hal-00799648⟩
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