Transistor bipolaire Si/SiGe:C en noeud CMOS avancé pour applications (sub)-millimétriques - Archive ouverte HAL
Autre Publication Scientifique Année : 2011

Transistor bipolaire Si/SiGe:C en noeud CMOS avancé pour applications (sub)-millimétriques

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00799453 , version 1 (12-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00799453 , version 1

Citer

Thomas Lacave. Transistor bipolaire Si/SiGe:C en noeud CMOS avancé pour applications (sub)-millimétriques. 2011. ⟨hal-00799453⟩
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