Proton irradiation effects on InGaAs/InP Photodiodes for Space Applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00798135 , version 1 (08-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00798135 , version 1

Citer

G. Pedroza, M. Boutillier, L.S. How, L. Bechou, T. Nuns, et al.. Proton irradiation effects on InGaAs/InP Photodiodes for Space Applications. RADECS, Sep 2012, Biarritz, France. pp.Session : Photonics devices and ICs. ⟨hal-00798135⟩
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