Atomistic calculations of the mobility in ultimate Si (Ge) nanowires and carbon nanotubes - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Atomistic calculations of the mobility in ultimate Si (Ge) nanowires and carbon nanotubes

Y.M. Niquet
  • Fonction : Auteur
J. Li
  • Fonction : Auteur
V.H. Nguyen
  • Fonction : Auteur
F. Triozon
  • Fonction : Auteur
W. Zhang
Christophe Krzeminski
CV
L. Genovese
  • Fonction : Auteur
D. Rideau
  • Fonction : Auteur
C. Delerue
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00797753

Soumis le : jeudi 7 mars 2013-10:49:22

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00797753 , version 1 (07-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00797753 , version 1

Citer

Y.M. Niquet, J. Li, V.H. Nguyen, F. Triozon, W. Zhang, et al.. Atomistic calculations of the mobility in ultimate Si (Ge) nanowires and carbon nanotubes. 6th International Meeting on Molecular Electronics, ElecMol'12, 2012, Grenoble, France. ⟨hal-00797753⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
47 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More