[Invited] Can we achieve high power GaN-on-Si in the mmW range ? - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

[Invited] Can we achieve high power GaN-on-Si in the mmW range ?

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00797332 , version 1 (06-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00797332 , version 1

Citer

F Medjdoub. [Invited] Can we achieve high power GaN-on-Si in the mmW range ?. 48th Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2012, 2012, Napa Valley, CA, United States. ⟨hal-00797332⟩
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