Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00797332
Soumis le : mercredi 6 mars 2013-10:54:45
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00797332 , version 1
Citer
F Medjdoub. [Invited] Can we achieve high power GaN-on-Si in the mmW range ?. 48th Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2012, 2012, Napa Valley, CA, United States. ⟨hal-00797332⟩
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