InAs hot electron transistors with cutoff frequency above 200 GHz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00797314 , version 1 (06-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00797314 , version 1

Citer

H. Nguyen Van, A. N. Baranov, R. Teissier, M. Zaknoune. InAs hot electron transistors with cutoff frequency above 200 GHz. 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012, 2012, Santa Barbara, CA, United States. ⟨hal-00797314⟩
64 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More