Fabrication, characterization, and physical analysis of AlGaN/GaN HEMTs on flexible substrates - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2013

Fabrication, characterization, and physical analysis of AlGaN/GaN HEMTs on flexible substrates

N. Defrance
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
Y. Douvry
  • Fonction : Auteur
Marie Lesecq
Virginie Hoel
A. Lecavelier Des Etangs-Levallois
  • Fonction : Auteur
Y. Cordier
A. Ebongue
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger

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https://hal.science/hal-00797212

Soumis le : mercredi 6 mars 2013-08:45:30

Dernière modification le : jeudi 25 janvier 2024-03:38:36

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00797212 , version 1 (06-03-2013)

Identifiants

Citer

N. Defrance, F. Lecourt, Y. Douvry, Marie Lesecq, Virginie Hoel, et al.. Fabrication, characterization, and physical analysis of AlGaN/GaN HEMTs on flexible substrates. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60, pp.1054-1059. ⟨10.1109/TED.2013.2238943⟩. ⟨hal-00797212⟩

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