Article Dans Une Revue
Physica B: Condensed Matter
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00796437
Soumis le : lundi 4 mars 2013-11:04:21
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, O. Fathallah, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, et al.. Leakage current, capacitance hysteresis and deep traps in Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC high-electron-mobility transistors. Physica B: Condensed Matter, 2013, 412, pp.126-129. ⟨10.1016/j.physb.2012.11.031⟩. ⟨hal-00796437⟩
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