Leakage current, capacitance hysteresis and deep traps in Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC high-electron-mobility transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physica B: Condensed Matter Année : 2013

Leakage current, capacitance hysteresis and deep traps in Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC high-electron-mobility transistors

S. Saadaoui
  • Fonction : Auteur
M.M. Ben Salem
  • Fonction : Auteur
O. Fathallah
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00796437 , version 1 (04-03-2013)

Identifiants

Citer

S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, O. Fathallah, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, et al.. Leakage current, capacitance hysteresis and deep traps in Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC high-electron-mobility transistors. Physica B: Condensed Matter, 2013, 412, pp.126-129. ⟨10.1016/j.physb.2012.11.031⟩. ⟨hal-00796437⟩
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