AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate with 206-GHz FMAX - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2013

AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate with 206-GHz FMAX

S. Bouzid-Driad
  • Fonction : Auteur
H. Maher
N. Defrance
Jean-Claude de Jaeger
M. Renvoise
  • Fonction : Auteur
P. Frijlink
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00796433 , version 1 (04-03-2013)

Identifiants

Citer

S. Bouzid-Driad, H. Maher, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, et al.. AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate with 206-GHz FMAX. IEEE Electron Device Letters, 2013, 34, pp.36-38. ⟨10.1109/LED.2012.2224313⟩. ⟨hal-00796433⟩
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