Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2013
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00796433
Soumis le : lundi 4 mars 2013-11:07:29
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
S. Bouzid-Driad, H. Maher, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, et al.. AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate with 206-GHz FMAX. IEEE Electron Device Letters, 2013, 34, pp.36-38. ⟨10.1109/LED.2012.2224313⟩. ⟨hal-00796433⟩
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