Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00795950
Soumis le : vendredi 1 mars 2013-10:54:42
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
B. Dormieu, P. Scheer, C. Charbuillet, H. Jaouen, Francois Danneville. Revisited RF compact model of gate resistance suitable for high-K/metal gate technology. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60, pp.13-19. ⟨10.1109/TED.2012.2225146⟩. ⟨hal-00795950⟩
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