Revisited RF compact model of gate resistance suitable for high-K/metal gate technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2013

Revisited RF compact model of gate resistance suitable for high-K/metal gate technology

B. Dormieu
  • Fonction : Auteur
P. Scheer
  • Fonction : Auteur
C. Charbuillet
  • Fonction : Auteur
H. Jaouen
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00795950 , version 1 (01-03-2013)

Identifiants

Citer

B. Dormieu, P. Scheer, C. Charbuillet, H. Jaouen, Francois Danneville. Revisited RF compact model of gate resistance suitable for high-K/metal gate technology. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60, pp.13-19. ⟨10.1109/TED.2012.2225146⟩. ⟨hal-00795950⟩
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