True planar InAs/AlSb HEMTs with ion-implantation technique for low-power cryogenic applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2013

True planar InAs/AlSb HEMTs with ion-implantation technique for low-power cryogenic applications

G. Moschetti
  • Fonction : Auteur
M. Abbasi
  • Fonction : Auteur
P.A. Nilsson
  • Fonction : Auteur
A. Hallen
  • Fonction : Auteur
J. Grahn
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00795944 , version 1 (01-03-2013)

Identifiants

Citer

G. Moschetti, M. Abbasi, P.A. Nilsson, A. Hallen, L. Desplanque, et al.. True planar InAs/AlSb HEMTs with ion-implantation technique for low-power cryogenic applications. Solid-State Electronics, 2013, 79, pp.268-273. ⟨10.1016/j.sse.2012.06.013⟩. ⟨hal-00795944⟩
19 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More