Article Dans Une Revue
physica status solidi (c)
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00790433
Soumis le : mercredi 20 février 2013-11:33:46
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Mattalah, A. Soltani, J.C. Gerbedoen, A. Ahaitouf, N. Defrance, et al.. Analysis of the SiO2/Si3N4 passivation bilayer thickness on the rectifier behavior of AlGaN/GaN HEMTs on (111) silicon substrate. physica status solidi (c), 2012, 9, pp.1083-1087. ⟨10.1002/pssc.201100211⟩. ⟨hal-00790433⟩
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