Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00790412
Soumis le : mercredi 20 février 2013-11:17:53
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
Z.K. Chen, Emmanuel Dubois, F. Ravaux, Francois Danneville. Ta/TiN midgap full-metal single gate fabrication using combined chlorine-based plasma and highly selective chemical metal etching for decananometer CMOS technology. Microelectronic Engineering, 2012, 97, pp.280-284. ⟨10.1016/j.mee.2012.04.035⟩. ⟨hal-00790412⟩
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