Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2011
Bruno Gayral : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00788831
Soumis le : vendredi 15 février 2013-11:58:13
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54
Citer
X.J. Chen, Bruno Gayral, Diane Sam-Giao, Catherine Bougerol, Christophe Durand, et al.. Catalyst-free growth of high-optical quality GaN nanowires by metal-organic vapor phase epitaxy. Applied Physics Letters, 2011, 99, pp.251910. ⟨10.1063/1.3671365⟩. ⟨hal-00788831⟩
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