Growth mechanism and properties of InGaN insertions in GaN nanowires
Gabriel Tourbot
(1, 2)
,
Catherine Bougerol
(3)
,
Frank Glas
(4)
,
Luiz Fernando Zagonel
(5)
,
Z. Mahfoud
(5)
,
S. Meuret
(5)
,
P. Gilet
(2)
,
Mathieu Kociak
(5)
,
Bruno Gayral
(1)
,
Bruno Daudin
1
NPSC -
Nanophysique et Semiconducteurs
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 NEEL - NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
4 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
5 LPS - Laboratoire de Physique des Solides
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 NEEL - NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
4 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
5 LPS - Laboratoire de Physique des Solides
Catherine Bougerol
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : catherine-bougerol
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- IdRef : 030921163
Frank Glas
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : glas
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Luiz Fernando Zagonel
- Fonction : Auteur
- PersonId : 2070
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S. Meuret
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : sophie-meuret
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Mathieu Kociak
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : mathieu-kociak
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Bruno Gayral
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : bruno-gayral
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Bruno Daudin
- Fonction : Auteur
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- IdHAL : bruno-daudin
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