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Article Dans Une Revue Semiconductors Année : 2012

Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS

M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00788194 , version 1 (14-02-2013)

Identifiants

Citer

M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref. Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS. Semiconductors, 2012, 46, pp.382-385. ⟨10.1134/S1063782612030104⟩. ⟨hal-00788194⟩
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